SJ 50033.37-1994 半导体分立器件.3DD164型功率晶体管详细规范
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ID： |
450F838F4DFB4345934160C7A7D4050A |
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文件大小(MB)： |
0.44 |
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页数： |
11 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/37-94,半导体分立器件,3DD164型功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for,type 3DD164 power transistor,1994-09-30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DD164型功率晶体管,详细规范,SJ 50033/37-94,Semiconductor discrete device,Detail specification for,type 3DD164 power transistor,范围,1-1主题内容,本规范规定了 3DDI64型功率晶体管（以下简称器件）的详细要求.,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范れ3的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示、,2弓I用文件,GB 4587-84双极型晶体管测试方法,GB 7581-8y半导体分立器件外形尺ザ,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定.,3-2设外、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3. 2.1引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐.引出端表面应为锡层或银层,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01 实施,sj 50033/37 -94,3.2.2器件结构,采用扩散台面结构或外延台面结构,3.2-3外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581的B2-O1C型及如下的规定。见图員,图1外形图,3-3最大额定值和主要电特性,3. 3.1最大额定值,型 号Te = 25 C,CW),%BO,(V),VcEO,CV),VehO,(V),h,(A),わ,(C),爲用,CD,3DD164B 150 100,3DD164c 2g 150,3DP164D 150 250 200 5 10 175 一皿.175,3DDLG4E 350 250,3DD164F 400 33,3DD164G 600 100,注:DTc>25C时,按LOW/C的速率线性地降额,3. 3-2主要电特性（Ta = 25。）,2,ww. bzfxw. com下载,SJ 50033/37-94,、极限值,型号 、,〃阳1,5V,Zr = 5A,レスロ2,厶=5A,ム=0. 5A,(V),V 1,“ =5A,ム=0, 5A,(V),ハ,Vce^12V,A - 2 A,/「u. 3MHみ,(MHわ,Rh」rj,Veh —20V,女=2A,25('
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